IBM официально объявила о выпуске первого в мире чипа с архитектурой менее 1 нанометра, с технологическим узлом 0,7 нм (то есть 7 ангстрем), использующего революционную трёхмерную архитектуру транзисторов «Nanostack» (наностеки). Это первое в отрасли известное трёхмерное проектирование на основе нанопластин, знаменующее переход полупроводниковой индустрии от наноэры к эпохе атомных масштабов. 

После объявления этой новости акции IBM на премаркете в США выросли более чем на 6%.

Плотность транзисторов удваивается, приближаясь к физическим пределам

Представленный IBM чип на 0,7 нм интегрирует почти 100 миллиардов транзисторов на площади размером с ноготь, что примерно вдвое превышает плотность транзисторов чипа на 2 нм, выпущенного IBM в 2021 году. Для наглядного представления этого масштаба: ширина эритроцита человека составляет около 7000 нанометров, что примерно в 10 000 раз больше размера нового узла. Микроскопические изображения, опубликованные IBM, показывают, что область канала чипа имеет ширину всего около 15 рядов атомов кремния, при этом отдельные атомы кремния хорошо видны.

Согласно опубликованным техническим результатам, по сравнению с чипом IBM на узле 2 нм, новый чип может обеспечить до 50% прироста производительности или до 70% улучшения энергоэффективности. Что касается вычислительной мощности ИИ, текущая вычислительная мощность основных ускорителей ИИ составляет около 1500 TOPS (триллионов операций в секунду), в то время как ожидается, что чип с технологией 7 ангстрем достигнет примерно 7000 TOPS, что примерно в семь раз больше. Если использовать его для обучения современных крупных языковых моделей, цикл обучения может сократиться с примерно трёх месяцев до нескольких недель.

Джей Гамбетта (Jay Gambetta), директор исследовательского подразделения IBM и член IBM Fellow, заявил: «Последний прорыв IBM в области чипов — это знаковый момент в вычислительной технике, который переводит технологию из наноэры в атомные масштабы. Благодаря новой архитектуре наностеков мы не просто создаём более маленькие транзисторы, а переосмысливаем способ построения чипов для достижения большей производительности и более высокой энергоэффективности.»